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                              PESD3V3S2UT

                              厂商名称: NXP

                              PESD3V3S2UT元件分类: 二极管

                              PESD3V3S2UT中文描述:
                              330 W, 单向, 2 组成, 硅, 瞬态抑制二极管, TO-236AB
                              PESD3V3S2UT英文描述:
                              330 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB
                              PESD3V3S2UT封装
                              也许您对这个元器件?#34892;?#36259;: GRM022R60G104ME15L
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                              PESD3V3S2UT元件数量 2
                              PESD3V3S2UT最大击穿电压 6 V
                              PESD3V3S2UT最小击穿电压 5.2 V
                              PESD3V3S2UT加工封装描述 塑料 PACKAGE-3
                              PESD3V3S2UT无铅 Yes
                              PESD3V3S2UT欧盟RoHS规范 Yes
                              PESD3V3S2UT中国RoHS规范 Yes
                              PESD3V3S2UT状态 ACTIVE
                              PESD3V3S2UT包装形状 矩形的
                              PESD3V3S2UT包装尺寸 SMALL OUTLINE
                              PESD3V3S2UT表面贴装 Yes
                              PESD3V3S2UT端?#26377;?#24335; GULL WING
                              PESD3V3S2UT端子涂层
                              PESD3V3S2UT端子位置
                              PESD3V3S2UT包装材料 塑料/环氧树脂
                              PESD3V3S2UT工艺 AVALANCHE
                              PESD3V3S2UT结构 COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
                              PESD3V3S2UT二极管元件材料
                              PESD3V3S2UT极性 单向
                              PESD3V3S2UT二极管类型 TRANS 电压 SUPPRESSOR 二极管
                              PESD3V3S2UT关闭电压 3.3 V
                              PESD3V3S2UT最大非重复峰值转速功率 330 W

                              目前在售PESD3V3S2UT的授权分销商:

                              © 2010 - 2019 苏州灵动帧格网络科技有限公司 版权所有.

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