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                              PESD5V0S1BL

                              厂商名称: NXP

                              PESD5V0S1BL元件分类: 二极管

                              PESD5V0S1BL中文描述:
                              130 W, 双向, 硅, 瞬态抑制二极管
                              PESD5V0S1BL英文描述:
                              130 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
                              PESD5V0S1BL封装
                              也许您对这个元器件?#34892;?#36259;: ERJ-1GEF2802C
                              芯片电阻,电阻值28K,容差±1%,功率1/20W
                              了解详情
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                              PESD5V0S1BL元件数量 1
                              PESD5V0S1BL最大击穿电压 9.5 V
                              PESD5V0S1BL最小击穿电压 5.5 V
                              PESD5V0S1BL加工封装描述 1 × 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, LEADLESS, 塑料 PACKAGE-2
                              PESD5V0S1BL无铅 Yes
                              PESD5V0S1BL欧盟RoHS规范 Yes
                              PESD5V0S1BL中国RoHS规范 Yes
                              PESD5V0S1BL状态 ACTIVE
                              PESD5V0S1BL包装形状 矩形的
                              PESD5V0S1BL包装尺寸 芯片 CARRIER
                              PESD5V0S1BL表面贴装 Yes
                              PESD5V0S1BL端?#26377;?#24335; NO 铅
                              PESD5V0S1BL端子涂层
                              PESD5V0S1BL端子位置 BOTTOM
                              PESD5V0S1BL包装材料 塑料/环氧树脂
                              PESD5V0S1BL工艺 AVALANCHE
                              PESD5V0S1BL结构 单一的
                              PESD5V0S1BL二极管元件材料
                              PESD5V0S1BL极性 双向
                              PESD5V0S1BL二极管类型 TRANS 电压 SUPPRESSOR 二极管
                              PESD5V0S1BL关闭电压 5 V
                              PESD5V0S1BL最大非重复峰值转速功率 130 W

                              目前在售PESD5V0S1BL的授权分销商:

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