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                              TP65H035WS

                              厂商名称: Transphorm

                              TP65H035WS元件分类: 晶体管

                              TP65H035WS中文描述:
                              采用 TO-247 封装的 650V 35mΩ 氮化镓GaN FET。通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。
                              TP65H035WS英文描述:
                              650V 35mΩ GaN FET in TO-247.It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.
                              也许您对这个元器件?#34892;?#36259;: TP65H035WS
                              采用 TO-247 封装的 650V 35mΩ 氮化镓GaN FET。通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。
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                              TP65H035WSV(TR)DSS (V) 最大值 800
                              TP65H035WSRDS(on)eff(mΩ)最大值* 41
                              TP65H035WSQRR (nC) 典型值 170
                              TP65H035WSQG (nC) 典型值 24

                              目前在售TP65H035WS的授权分销商:

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