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                              TPH3206PSB

                              厂商名称: Transphorm

                              TPH3206PSB元件分类: 晶体管

                              TPH3206PSB中文描述:
                              采用 TO-220 封装的 650V 150mΩ 氮化镓GaN FET。通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。
                              TPH3206PSB英文描述:
                              650V 150mΩ GaN FET in TO-220.It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.
                              也许您对这个元器件?#34892;?#36259;: TPH3206PSB
                              采用 TO-220 封装的 650V 150mΩ 氮化镓GaN FET。通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。
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                              TPH3206PSBVDS (V) 最小值 650
                              TPH3206PSBV(TR)DSS (V) 最大值 800
                              TPH3206PSBRDS(on)eff(mΩ)最大值* 180
                              TPH3206PSBQRR (nC) 典型值 52
                              TPH3206PSBQG (nC) 典型值 6

                              目前在售TPH3206PSB的授权分销商:

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